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复旦大学计划研发第三类存储技术
复旦大学计划研发第三类存储技术-为了研发出两种性能可兼得的新型电荷存储技术,该团队创新性地选择了多重二维半导体材料,堆叠构成了半浮栅结构晶体管:二氧化钼和二硒化钨像是一道
2018-06-01
存储技术
电荷
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