存储器

相关搜索结果
  1. 国内存储器厂商竞争激烈不断扩产,三星半导体宝座恐坐不久

    国内存储器厂商竞争激烈不断扩产,三星半导体宝座恐坐不久- 全球市场调查公司顾能(Gartner)最新研究报告指出,三星2017年挤下英特尔,成为全球最大的半导体制造商,但随着大陆存储器厂

    2018-06-28存储器 三星
  2. 美光:看好存储器市场,至少可望一路好到2021年

    美光:看好存储器市场,至少可望一路好到2021年- 存储器大厂美光(Micron)22日在美国召开分析师大会,美光执行长Sanjay Mehrotra表示,存储器市场已出现典范转型,以智能型手机为中心的行动时

    2018-06-28美光 存储器 NAND
  3. 美光新加坡兴建第3工厂,欲抢占NAND Flash快闪存储器市场

    美光新加坡兴建第3工厂,欲抢占NAND Flash快闪存储器市场- 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口,导致价格继续维持高位的情况下,包括国际大厂三星、SK海力士、东芝,以及中国厂商长江存

    2018-06-11美光 NAND 存储器
  4. 武汉国家存储器基地3D NAND量产日期指日可待

    武汉国家存储器基地3D NAND量产日期指日可待-在国家存储器基地,有600多人在建设工地上忙碌。据了解,目前,他们正在进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装,预计2018年4月搬入机台设

  5. 一种基于相变存储器的3D XPOINT存储技术,速度将是现在的1000倍

    一种基于相变存储器的3D XPOINT存储技术,速度将是现在的1000倍- 据报道,华中科技大学光电学院副院长缪向水及其团队正在研制一款基于相变存储器的3D XPOINT存储技术。他估计,在这项技术基础

  6. 首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产,填补我国主流存储器领域空白

    首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产,填补我国主流存储器领域空白- 位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进

  7. 科学家研发拥有自愈能力的相变存储器

    科学家研发拥有自愈能力的相变存储器-耶鲁大学和IBM华生研究中心的研究人员一直在新型相变存储器研发领域开展合作,目标是使具有潜在革命性的相变存储技术更具实用性和可行性。 近年来

  8. 科学家开发“记忆晶体管” 存储器和信息处理功能两不误

    科学家开发“记忆晶体管” 存储器和信息处理功能两不误-计算机有单独的处理和存储单元,而大脑使用神经元来执行这两种功能。据物理学家组织网报道,凭借忆阻器和晶体管的组合特性,该

    2018-06-13存储器
  9. MOSFET、存储器IC等继续看涨 硅晶圆是罪魁祸首

    MOSFET、存储器IC等继续看涨 硅晶圆是罪魁祸首-台系MOSFET芯片供应商指出,由于外商仍主导MOSFET芯片价格走势,台系IC设计公司宁可先抢市占率,不敢轻易跟涨芯片报价,包括英飞凌(Infineon)、意

  10. 2018年移动式存储器产值成长超过 3 成

    2018年移动式存储器产值成长超过 3 成-2017 年第四季为传统旺季,在智能手机市场需求转强的预期效应,以及北美数据中心需求强劲的带动下,主要供应商纷纷提高 2017 年第四季移动式存储器价

  11. DRAM价格居高不下,发改委约谈三星

    DRAM价格居高不下,发改委约谈三星- 在近日,又有双方签署 MOU 的消息,市场预期将可能抑制 DRAM 价格。集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,内存价格涨势延续超过 6 季上扬,造成许多

    2018-07-02DRAM 三星 存储器
  12. 大量晶圆厂关闭或移为他用 全球三大存储器厂优势仍在

    大量晶圆厂关闭或移为他用 全球三大存储器厂优势仍在-自2008年到2009年全球经济衰退爆发以来,IC厂商为提高晶圆生产成本效益,一直在努力减少8寸以下晶圆厂产能,并转往更大尺寸晶圆生产

  13. 武汉市正在重点打造存储器 长江存储首个芯片计划量产

    武汉市正在重点打造存储器 长江存储首个芯片计划量产-万勇透露,武汉国家存储器基地计产能10万片/月的一号生产及动力厂房,首个芯片会在2018年点亮,明年实现量产。而获得国务院批复的武

  14. 东芝存储器意图东山再起 成败取决于中国政府

    东芝存储器意图东山再起 成败取决于中国政府-美日等国的审查已顺利结束,但被视为最大难关的中国政府的审查于2017年12月才启动。一般来说,审查时间为4个月,原定于3月底完成出售的目标

    2018-04-11东芝 存储器
  15. 为什么单片机的存储器既有Flash又有EEPROM

    在芯片的内电路中,FLASH和EEPROM不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同,不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。

    共10页/143条
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 下一页
  • 末页
  • LPDDR4   内存价格   数据保护   OPPO手机   紫光集团   存储器芯片   苹果芯片   瑞萨电子   浪潮   移动硬盘