光刻是芯片制造技术的主要环节之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻机进行的。但是193nm的光刻技术依然无法支撑40nm以下的工艺生产,为了突破工艺极限,厂商不得不将193nm液浸技术和各
4月10日记者从武汉光电国家研究中心获悉,该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制,采用远场光学的办法,光刻出最小9纳米线宽的线段,实现了从超分辨
长江存储喜迎第一台EUV极紫外光刻机:国产SSD固态硬盘将迎来重大突破- 前些天,新闻曝光的中芯国际花了1.2亿美元从荷兰ASML买来一台EUV极紫外光刻机,未来可用于生产7nm工艺芯片,而根据