中国闪存网消息，高带宽内存（HBM）是AI系统的关键组件之一，目前尚未在美国组装，但这一状况将在2029年改变，届时SK海力士将在印第安纳州工厂启动HBM内存模块的封装。本周，公司在美国为其HBM生产基地举行了奠基仪式，并计划很快开始工厂建设。
SK海力士位于印第安纳州西拉斐特的HBM生产基地将专注于HBM的先进包装、测试和研发。该设施预计耗资约40亿美元，彰显其先进的技术能力和庞大的产能。DRAM制造商预计于2028年10月开放无菌室，并于2029年下半年开始批量生产下一代 HBM，这比最初设想晚了大约一年。一旦商业运营启动，SK海力士预计印第安纳工厂将雇佣约1000名员工。
尽管印第安纳厂被描述为HBM生产基地，但该厂不会制造DRAM晶圆，而是使用韩国生产的DRAM晶圆和韩国、台湾或美国生产的基晶块包装HBM堆叠。尽管如此，SK海力士仍打算将这些设备作为其首款美国制造的次世代HBM产品进行市场推广。与此同时，随着定制HBM级存储器在本十年后半期逐渐普及，将此类存储栈在美国客户附近组装起来，对SK海力士及其客户来说可能尤为重要，因为这能显著缩小反馈环路。
除了建设先进包装与检测工厂外，SK海力士还将在生产线旁建立先进的包装研发测试平台。该设施将使SK海力士能够与客户、高校及商业合作伙伴合作开发未来包装技术，制造原型，并迅速验证其在实际生产环境中的性能和制造能力。在定制HBM时代，这样的设施可能成为SK海力士的重要竞争优势。
SK海力士还与普渡大学签署了谅解备忘录，共同研究系统集成和先进封装技术，包括HBM。
