全球最小DRAM芯片：采用新工艺技术，将在全球率先量产
2018-07-02 12:50 来源：中国闪存网
韩国三星电子公司20日说，已经研制出全球最小DRAM芯片，将在全球率先量产。
这款芯片为第二代10纳米级8千兆字节DDR4DRAM。去年2月，三星电子实现第一代10纳米级DRAM芯片的量产。
三星介绍，第二代10纳米级DRAM产品采用超高速、超节电、超小型电路设计等最新工艺技术，较第一代10纳米级速度提高10％以上，耗电量节省15％以上，生产效率提高30％。
DRAM是动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。
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