首页 > 资讯 > 正文

TrendForce:智能手机出货畅旺,2016年第四季全球行动式内存产值季增20%

2017-02-16 00:00 来源:集邦咨询

集邦咨询(DRAMeXchange)最新调查显示,在三星Note 7爆炸影响下,消费者购机需求纷纷转向其他手机品牌,苹果、华为与LG等品牌出货明显提升,让早已供不应求的DRAM市场供货更为吃紧,带动价格飙涨,使2016年第四季全球行动式内存产值高达55.05亿美元,季成长约20%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,以三大DRAM厂2016年第四季的行动式内存营收市占来看,三星半导体依然囊括过半的市占率,来到61.3%,SK海力士居次,为24.2%,而美光半导体为12.3%,三大主要DRAM厂的占比来到97.8%。以整体营收作计算,2016年第四季全球行动式内存营收就占了DRAM总营收的44.2%。

从三大DRAM厂的竞争能力分析,三星仍是行动式内存的技术领先者,除了率先推出新规格LPDDR4x外,2017年制程亦从20纳米逐步转向18纳米,一方面降低成本,更可与竞争对手维持一定程度的技术差距,让三星半导体的获利表现有望进一步提升。

SK海力士方面,由于21纳米制程良率在2016年第四季已较为稳定,2017年的目标便是扩大21纳米的产出占比,旗下M14厂也有扩大产能的规划。SK海力士期许今年在产出与良率双双提升下,能满足客户的需求。此外,SK海力士也规划于今年下半导入次世代18纳米制程的产品,希望尽速实现量产。

美光集团目前行动式内存已逐步转向20纳米制程为主,如台湾美光晶圆科技(原华亚科)已全数转进20纳米制程。台湾美光内存也正式于一月将18纳米制程导入量产,目前良率稳定提升中,希望今年年底该厂能有90%皆为18纳米制程的产品。

台厂部分,南亚科由于行动式内存的产出比重提升,在涨价的帮助下,营收市占从1.3%提升至1.5%,营收成长来到41.3%,为各厂最高。目前南亚科厂内正进行20纳米制程的产线转换工程,未来将能够对营收有进一步的贡献。

华邦电去年第四季营收市占来到0.7%,营收方面小幅成长6%,其中46纳米制程的行动式内存占比已经来到72%,华邦新制程38纳米有机会于今年第三季导入生产,优先利用在利基型内存与行动式内存上。

从市场面分析,由于DRAM原厂产能的扩张效应须待2017下半年陆续浮现,整体上半年的供需依然维持吃紧。吴雅婷指出,2017年搭载6GB内存的高端智能手机已是各厂既定的方针,中端手机也会来到3/4GB的搭载量,预估2017年智能手机内存的需求位成长仍有30%以上,DRAM产业持续获利的状况将维持一整年。

  • 闪存市场 内存 智能手机
  • 严禁商业机构或公司转载,违者必究;转载请注明来源“中国闪存网”!