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DRAM产能增加,传SK海力士利川厂相隔11年再扩充封装产线

2018-05-08 00:00 来源:DIGITIMES

相隔11年SK海力士(SK Hynix)终于再传投资韩国封测产线。据韩媒Money Today报导,近期SK海力士展开产线调整,欲将利川厂区内的旧LCD产线转换为半导体封装及测试用途,同时也会将现有的部分后段制程产线移转至此,并添购机台设备进行扩产。前次SK海力士在韩国增设后段制程产线已是2007年。

业界消息表示,SK海力士增设产线的占地规模约3000坪,投资金额约5000亿韩元(约4.6亿美元),完工后后段制程产线规模将比原本大2倍,启用时间暂订2019年上半。

SK海力士2017年开始将M14工厂二楼的部分NAND Flash产线转换为生产DRAM,工程还持续进行,未来每月DRAM的晶圆投片量可增加2万片。若搭配扩增的后段制程产线,届时将有更显著的产能效益。

韩国业界表示,2017年底SK海力士在重庆投资3000亿韩元增设后段制程产线,这次在韩国利川增设的封测产线应是针对DRAM需求而来。2018年以来DRAM市场持续处于供给短缺状态,这现象恐长期延续,因此让SK海力士暌违11年决定在韩国扩大封测产能。

此外,业界认为10纳米级先进制程使每片晶圆可生产的存储器芯片数量增加,带动封测需求量提高,而封装体积缩小的趋势令后段制程重要性提高,这些也都是SK海力士决定加强后段制程能力的因素。

利川厂区是SK海力士的主要生产基地,碍于韩国法令以无法取得新腹地,目前该厂区由SK海力士与现代Elevator(Hyundai Elevator)共享土地。这次SK海力士用来扩增封装产线的用地是以前现代电子出售LCD事业部给京东方时附带出租的土地,最近土地租约到期回收使用权,SK海力士才得以扩增产线。

  • SK海力士 DRAM 封装测试
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